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Características del producto

Características principales

Marca
OEM
Modelo
universal
Código del transistor
IRF5210

Otros

Voltaje máximo soportado
1V
Corriente máxima soportada
2 A
Potencia máxima soportada
200 W

Descripción

PRODUCTO DISPONIBLE PARA ENVIO OH ENTREEGA EN EL DIA
IRF5210 MOSFET. Data sheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF5210

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 180(max) nC

Tiempo de elevación (tr): 86 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 790 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.06 Ohm

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