Módulo De Alimentación De Diodo, Tiristor De Silicio Semicon

Descripción

Característica:
1.
VOLTAJE REPETITIVO: el voltaje repetitivo directo es de 1200 V, el voltaje repetitivo inverso es de 1600 V, el valor máximo de corriente soportada es de 57 A. 2.
ESTRUCTURA DE SOLDADURA: El módulo de diodos tiristores adopta una estructura de soldadura para garantizar excelentes características de ciclo de potencia y temperatura. 3.
BASE DE AISLAMIENTO: Este módulo de tiristor tiene una base de montaje aislante y utiliza una tecnología única de pasivación del vidrio para garantizar una alta confiabilidad.
4. 3 TERMINALES: El módulo de semicontrol está equipado con 3 terminales, con un rendimiento de contacto estable, fácil conexión y operación. 5. FÁCIL INSTALACIÓN: el módulo de control de silicio tiene una estructura simple, cómoda y práctica, y es fácil de instalar y mantener.

Especificación:
Tipo de artículo: módulo de tiristor
Modelo: JLSKKH57 16E
Corriente de activación de compuerta (Igt): 50 mA
Voltaje de activación de compuerta (Vgt): 0,7 V
Voltaje repetitivo directo (Vdrm): 1200 V
Voltaje repetitivo inverso (Vrrm): 1600 V
Valor máximo de resistencia de corriente:

paquete de 57 A Lista:
1 x Módulo de tiristores

**NOTA**
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