Toshiba Igbt Gt50jr22 600v 50a

Descripción

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Toshiba IGBT GT50JR22
Modelo : TD-GT50JR22

Condición: Producto Nuevo

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Especificaciones:

Corriente Máxima Continua del Colector 50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±25V
Disipación de Potencia Máxima 230 W
Tipo de Encapsulado TO-3P
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Tipo de Canal N
Conteo de Pines 3
Velocidad de Conmutación 1MHZ
Configuración de transistor Simple
Longitud 15.5mm
Ancho 4.5mm
Altura 20mm
Dimensiones 15.5 x 4.5 x 20mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C

*Valor no incluye boleta ni factura*. Esto es debido a los altos costos de comision de ML. Modelo de Referencia facturación: TD-GT50JR22 (si necesita factura, compare directamente en nuestra pag, Tesladelta)